在单片机中，片内Flash的地址表示方法通常与芯片架构和内存映射方式有关。以下是常见的表示方法及注意事项：
1. 片内Flash地址的基本概念
单片机的Flash存储器用于存储程序代码（Code）、常量数据（const）或用户数据（如EEPROM模拟）。其地址表示方式一般遵循以下规则：
(1) 绝对地址（物理地址）
由芯片厂商定义，在数据手册（Datasheet）或参考手册（Reference Manual）中给出。
例如：
STM32F103 的Flash起始地址为 0x08000000。
ATmega328P 的Flash起始地址为 0x0000（16位地址，但实际物理地址可能更复杂，因为AVR采用哈佛架构）。
(2) 相对地址（偏移地址）
某些情况下，开发者可能使用相对于Flash起始地址的偏移量：
#define FLASH_BASE 0x08000000 // STM32的Flash起始地址
uint32_t* data_address = (uint32_t*)(FLASH_BASE + 0x1000); // 偏移4KB
2. 不同架构的Flash地址表示
(1) ARM Cortex-M（如STM32）
Flash通常映射到 0x08000000（默认启动地址）。
示例：
// 访问Flash的某个地址（如读取前4字节）
uint32_t* flash_addr = (uint32_t*)0x08000000;
uint32_t value = *flash_addr; // 读取数据
(2) AVR（如ATmega系列）
Flash地址是 16位 的（但实际物理地址可能更大，因为Flash可能超过64KB）。
需要使用 pgm_read_byte() 或 pgm_read_word() 访问：
#include
const uint8_t data[] PROGMEM = {0x01, 0x02, 0x03}; // 数据存储在Flash
uint8_t value = pgm_read_byte(&data[0]); // 读取第一个字节
(3) 8051
Flash（CODE空间）通常用 16位地址 访问。
使用 code 关键字定义常量：
uint8_t code my_data[] = {0x01, 0x02, 0x03}; // 数据存储在Flash
uint8_t value = my_data[0]; // 读取数据
3. 如何获取Flash地址？
(1) 查看芯片数据手册
例如：
STM32F103：Flash起始于 0x08000000，每个扇区大小可能为 1KB/2KB。
ATmega328P：Flash起始于 0x0000，但实际物理地址可能涉及分页。
(2) 使用厂商提供的宏
STM32 HAL库提供 FLASH_BASE：
#define FLASH_BASE 0x08000000
(3) 通过链接脚本（Linker Script）定义
在 *.ld 文件中定义Flash的起始和大小：
MEMORY
{
FLASH (rx) : ORIGIN = 0x08000000, LENGTH = 64K
RAM (rwx) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 20K
}
4. 常见操作
(1) 读取Flash数据
// STM32示例
uint32_t read_flash(uint32_t address) {
return *(__IO uint32_t*)address;
}
(2) 写入Flash（需解锁+擦除+编程）
// STM32 HAL库示例
HAL_FLASH_Unlock();
FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_1, VOLTAGE_RANGE_3);
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, 0x08010000, 0x12345678);
HAL_FLASH_Lock();
(3) 检查Flash是否为空（通常擦除后为0xFF）
bool is_flash_empty(uint32_t address, uint32_t size) {
uint8_t* ptr = (uint8_t*)address;
for (uint32_t i = 0; i < size; i++) {
if (ptr[i] != 0xFF) return false;
}
return true;
}
5. 注意事项
对齐访问：
ARM Cortex-M 通常要求 32位/64位对齐访问，否则可能触发 HardFault。
写保护：
写入Flash前需解锁，并确保目标地址已擦除（通常全为 0xFF）。
哈佛架构（如AVR）：
Flash和RAM地址空间独立，不能直接用指针访问，需使用 pgm_read_* 函数。
优化编译：
常量数据可能被编译器优化到Flash，使用 const + PROGMEM（AVR）或 __attribute__((section(".rodata")))（ARM）确保存储位置。
总结
架构Flash起始地址访问方式STM320x08000000直接指针访问AVR0x0000（逻辑）pgm_read_byte/word80510x0000code 关键字
正确理解Flash地址表示方法对固件开发、Bootloader、OTA升级等至关重要，务必参考芯片手册！